محققان IBM تکنولوژی جایگزینی برای حافظه های فلش و رم در تلفن های همراه ارائه کرده اند

براساس گزارشی که هفته گذشته منتشر گردید، واحد تحقیقات آی بی ام موفق به ساخت نوعی تکنولوژی ذخیره سازی اپتیکال شده که ممکن است روزی جایگزین رم و حافظه های فلش در اسمارت فون ها شود. این فناوری که مموری فاز-تغییر (PCM) نام دارد پیشتر برای استفاده در دستگاه های همراه نظیر موبایل بسیار گران بود و از جریان الکتریکی برای نوشتن و خواندن داده روی شیشه آمورف استفاده می کند.

لازم است اضافه نماییم که PCM به مدت پانزده سال است که در دیسک های اپتیکال و دیگر فناوری ها به خدمت گرفته می شود. حالا اما، آی بی ام علاوه بر اینکه به راهکاری برای کاهش هزینه استفاده از آن دست پیدا کرده، روشی را ابداع نموده که می تواند این هزینه را به قدری پایین آورده که PCM را به رقیبی برای فلش تبدیل کند و حتی بهای آن را از DRAM نیز پایین تر بیاورد.

PCM برخلاف رم وقتی که جریان برق از آن قطع می گردد داده های خود را از دست نمی دهد و دانشمندان می توانند از آن در کنار فلش برای تولید حافظه های بسیار پرسرعت بهره بگیرند که امکان بوت شدن دستگاه ها را ظرف تنها چند ثانیه فراهم می کند.

واحد تحقیقات این شرکت در همین رابطه آورده است:

PCM دو وضعیت پایدار را از خود به نمایش می گذارد: آمورف (بدون یک ساختار تعریف شده و مشخص) و کریستالی (با ساختار مشخص) که به ترتیب هم رسانایی پایین و بالایی دارند. برای ذخیره سازی 0 یا یک که تحت عنوان بیت شناخته می شوند، روی یک پیل PCM، یک جریان الکتریکی بالا یا متوسط به ماده یاد شده وارد می گردد. برنامه نویسی می تواند به گونه ای انجام شود که عدد 0 در فاز آمورف و عدد یک در فاز کریستالی نوشته شود و یا بالعکس. در مرحله بعد برای خوانش این اطلاعات از ولتاژ پایین استفاده خواهد شد و این در واقع همان شیوه ذخیره سازی ویدئو روی دیسک های قابل رایت مجدد بلو-ری است.