سامسونگ از «اوایل 2018» فرایند تولید 7 نانومتری را به چیپست هایش می آورد

چندی قبل در خبرها خواندید که شرکت TSMC استفاده از فرایند 7 نانومتری در تولید چیپست های خود را به صورت آزمایشی آغاز کرده و در دی ماه نیز مشخص گردید که این کمپانی توسعه چیپست هایش به کمک این فرایند را به مراحل پایانی رسانده است.

حالا خبر رسیده که سامسونگ بر آن شده تا اصلی ترین رقیب TSMC در این حوزه باشد و در آینده نه چندان دور فرایند پیچیده 7 نانومتری را به محصولات تولیدی اش بیاورد.

مدیر واحد نیمه رسانای LSI سامسونگ طی صحبت هایش در جریان کنفرانس ویژه اعلام عملکرد مالی سه ماهه این شرکت این تکنولوژی را «چالش برانگیز» خوانده و در عین حال اعلام نموده که شرکت متبوعش انتظار دارد بعد از به کارگیری نسل تازه تجهیزات لیتوگرافی به وسیله اشعه ماوراء بنفش که بدون کمترین زحمت ترانزیستورهای مینیاتوری را در کنار هم می چیند، به کمپانی پیشرو در این حوزه بدل گردد.

اضافه نماییم که TSMC اعلام نموده تولید محدود چیپست های 7 نانومتری را امسال آغاز می کند و تولید انبوه آن را از سال آینده کلید می زند. این در حالی است که سامسونگ از تدوین یک نقشه راه تهاجمی برای «ابتدای سال 2018» خود خبر داده، لذا می توان انتظار داشت که گلکسی اس 9 به احتمال بسیار زیاد چیپست ساخته شده با فرایند 7 نانومتری را در دل خود جای دهد.

کره ای ها همچنین در نظر دارند که لیتوگرافی 10 نانومتری خود را هم برای پرچمداران امسال شان بهبود دهند و موبایل های میان رده و پوشیدنی های هوشمند خود را نیز به چیپست های 14 نانومتری مجهز کنند.

اینکه قطعه سیلیکونی به کار رفته در گلکسی اس 8 چه عملکردی را از خود به نمایش می گذارد یا میزان مصرف انرژی اش چقدر خواهد بود مساله ایست که انتظار می رود در روزهای آتی جزئیات بیشتری در مورد آن فاش گردد.