سامسونگ قبل از اینتل به سراغ چیپست های ۱۰ نانومتری می رود

شرکت سامسونگ در زمینه ی تولید چیپست های ۱۰ نانومتری از اینتل هم پیشی گرفته و نسخه ای نمایشی از آنها را با فناوری FinFET ارائه کرده است. کره ای ها قبلا نیز در زمینه ی ساخت حافظه های eMMC و چیپ های D-RAM فعالیت هایی کرده بوند اما این، اولین قدم به سوی اگزینوس های ۱۰ نانومتری است.

کوالکام با فناوری ۲۰ نانومتری برای تولید اسنپدراگون ۸۱۰ دست و پنجه نرم می کند اما به احتمال قوی، سامسونگ در هفته ی آینده، پرچمدار خود را با اگزینوس ۱۴ نانومتری به علاقه مندان معرفی می کند.

این شرکت صرفا قصد ندارد تا از چیپست های ۱۰ نانومتری جدید در اسمارت فون ها بهره گیرد و گفته می شود، دیتاسنترها و ابزارهای مربوط به اینترنت اشیا نیز از این فناوری بهره می گیرند. چیپ جدید، در کنار مصرف انرژی پایین تر، گرمای کمتری نیز خواهد داشت که هر دوی این مشخصات برای بسیاری از گجت های امروزی (مخصوصا پوشیدنی ها) حیاتی به نظر می رسند.

اینتل نیز اخیرا اذعان داشته بود که در حال توسعه ی چیپ های ۱۰ نانومتری است و آنها را تا سال ۲۰۱۶ به بازار خواهد فرستاد. باید منتظر ماند و دید کدام یک از این دو کمپانی بزرگ موفق خواهد شد با سرعت بیشتری این دسته از چیپ ها را به بازار عرضه نماید.