معرفی چیپ های 3 نانومتری سامسونگ؛ ارمغان آور عملکرد و طول عمر باتری بهتر

باز هم سامسونگ از پیشرفت های خود در حوزه فناوری پیشرفته تولید چیپست ها پرده برداشت. این شرکت در رویداد سالانه Foundry Forum 2019 که اخیرا در سانتاکلارا، کالیفرنیا برگزار شد، از پیشرفت پروژه توسعه چیپ های 3 نانومتری (GAA) ،خبر داد. این امر می تواند یکی از بزرگترین گام های مراحل پیشرفت در این حوزه بوده و باعث افزایش سرعت نوآوری در حوزه فناوری های نسل بعد، مانند هوش مصنوعی و اتومبیل های خودران باشد.

در مقایسه با تکنولوژی پردازش 7 نانومتری، با فرایند پردازش 3 نانومتری (GAA) سامسونگ، ابعاد چیپ تا 45 درصد و مصرف برق تا 50 درصد کاهش و همچنین میزان کارایی تا 35٪. افزایش می یابد. این روش پردازش که به اختصار MBCFET نامیده می شود، ورژن اختصاصی سامسونگ از فناوری GAA است که از ساختار نانو صفحات عمودی پشته ای تشکیل شده است. همین طراحی خاص باعث می شود جریان بیشتری از هر پشته در مقایسه با روش پردازش FinFET عبور کند.

سامسونگ در ماه آوریل نسخه 0.1 کیت طراحی پردازش (PDK) خود را با مشتریان به اشتراک خواهد گذاشت. این شرکت گفته است که به اشتراک گذاری این کیت زمان توسعه این بازار را کوتاه و رقابت در طراحی را برای مشتریان بهبود می بخشد.

این شرکت همچنین در این رویداد، فناوری اکوسیستم ابری (SAFE-Cloud) را معرفی کرد. SAFE Cloud یک پلت فرم ابری است که به کاربران اجازه طراحی چیپ را از طریق این سرویس می دهد.

سامسونگ قرار است به منظور ارائه این سرویس از خدمات ابری Amazon Web Services و Microsoft Azure و جهت اتوماسیون طراحی الکترونیکی از سرویس های Cadence و Synopsys استفاده می کند.

همچنین سامسونگ در این رویداد نقشه راه خود در حوزه فناوری پردازش را به اشتراک گذاشت. این شرکت اعلام کرد، آماده برنامه ریزی برای آغاز تولید انبوه دستگاه های پردازش 6 نانومتری در نیمه دوم سال جاری میلادی است. انتظار می رود پردازش 5 نانومتری FinFET نیز که در ماه آوریل توسعه داده شد تا پایان سال جاری و با تولید انبوه در نیمه اول سال 2020 آغاز شود. همچنین از این شرکت انتظار می رود تا پایان سال جاری فرایند توسعه فناوری پردازش 4 نانومتری را کامل کند. اما سامسونگ هنوز هیچ زمان خاصی را برای تحویل فناوری پردازش 3 نانومتری GAA اعلام نکرده است.