اینتل برای افزایش سرعت ساخت کارخانه اوهایو پاداش اضافهکار پرداخت میکند
در عین حال، بازدهی فناوری بستهبندی EMIB-T به ۹۰ درصد نزدیک شده است.
در دیجیاتو ثبتنام کنید
جهت بهرهمندی و دسترسی به امکانات ویژه و بخشهای مختلف در دیجیاتو عضو ویژه دیجیاتو شوید.
عضویت در دیجیاتوتازههای تکنولوژی
ویدئوی مرتبط
بهنظر میرسد اینتل به شدت روی عملیاتی کردن مجتمع کارخانهای جدید خود در اوهایو تا سال ۲۰۳۱ تمرکز کرده و مایل است پاداشهای سخاوتمندانهای برای دستیابی به آن هدف کلی پرداخت کند. در همین حال، به نظر میرسد بادهای موافق نیز در بخش بستهبندی EMIB-T اینتل در حال همسویی هستند و اکنون تنها بازده زیرلایه به عنوان تنها قطعه حلنشده پازل باقی مانده است.
برای کسانی که ممکن است مطلع نباشند، اینتل در حال ساخت یک مجتمع کارخانهای عظیم ۱۰۰۰ جریبی در اوهایو برای گرههای پردازشی «عصر آنگستروم» خود است که 18A و 14A نامیده میشوند. برای تسریع کار در این مجتمع حیاتی، اینتل ظاهراً در حال پرداخت پاداشهای اضافهکار سخاوتمندانه است و هدف آن عملیاتی کردن تولید انبوه 14A تا سال ۲۰۳۱ است.
اخیراً گفته شده بود که شرکت TSMC درحال توسعه یک راهکار بستهبندی پیشرفته مشابه EMIB برای تکمیل عرضه CoWoS-L خود است. فناوری EMIB-T این رویکرد را یک قدم جلوتر میبرد. در این فناوری مسیرهای هدایت عمودی به توان و سیگنالهای پرسرعت اجازه میدهند مستقیماً از پایین پکیج تراشه، از طریق پل و مستقیماً به پردازندهها یا حافظه نشسته در بالا جریان پیدا کنند و امکان انباشتگی سهبعدی را فراهم سازند. توجه داشته باشید که فناوری EMIB-T اینتل حدود ۵۰ درصد ارزانتر از CoWoS شرکت TSMC است.
اینتل اکنون انتظار دارد ارائه راهکار بستهبندی EMIB-T خود را بهصورت عمده در سال ۲۰۲۷ آغاز کند. بازدهی پکیجها درحالحاضر به سطح ۹۰ درصد نزدیک شده است. بااینحال، تنها مانع باقیمانده مربوط به بازدهی زیرلایه است که فعلاً روی ۵۰ درصد گیر کرده است.
زیرلایه مورد استفاده در فناوری EMIB-T اینتل شامل موارد زیر است:
- پنل ارگانیک پایه که دارای حفرههای با دقت حفاریشده است که پلهای سیلیکونی در آنها قرار می گیرند و توسط شرکتهای Ibiden ،Shinko ،Unimicron و AT&S تولید میشود.
- لایه انباشته دیالکتریک، که لایههای عایقی هستند که مستقیماً روی پلهای جاسازیشده لمینت میشوند و از نوار انباشته استاندارد Ajinomoto استفاده میکنند.
- خود پلهای سیلیکونی که حاوی حفرههای عبور از سیلیکون (TSV) برای هدایت عمودی توان هستند.
همین زیرلایه است که درحالحاضر به عنوان یک عامل بازدارنده در برنامههای اینتل برای خدمات بستهبندی EMIB-T عمل میکند. باوجوداین، شرکت Unimicron اخیراً تکرار کرد که EMIB-T همچنان پلتفرمی در مرحله اولیه کار است و افزایش سریع و بهبود بازدهی فعلاً از اولویتهای کلیدی محسوب میشود.
برای گفتگو با کاربران ثبت نام کنید یا وارد حساب کاربری خود شوید.