گلکسی S25 احتمالاً با تراشه فوق بهینه ۳ نانومتری اگزینوس عرضه می‌شود

انتظار می‌رود که اگزینوس ۲۵۰۰ اولین تراشه سامسونگ باشد که فرایند ساخت ۳ نانومتری در آن مورد استفاده قرار می‌گیرد. به‌لطف این فناوری، تراشه‌های سامسونگ احتمالاً راندمان بیشتری نسبت به رقبای خود از جمله تراشه‌های اسنپدراگون کوالکام خواهند داشت. طبق گزارش‌ها، احتمالاً گلکسی S25 اولین دستگاهی خواهد بود که از تراشه ۳ نانومتری بهره‌مند می‌شود.

ویژگی‌های تراشه ۳ نانومتری سامسونگ

در اوایل ماه جاری میلادی، سامسونگ اقدام به برگزاری کنفرانس خبری مشترک با شرکت Synopsys کرد و تولید انبوه موفقیت‌آمیز تراشه‌های ۳ نانومتری را اعلام نمود. البته سامسونگ از ارائه جزئیات بیشتر پیرامون این موضوع خوددگزارش‌ها، احتمالاً انتظار داریم که در اگزینوس ۲۵۰۰ شاهد استفاده از چنین فناوری ساختی باشیم. گزارشی که اخیراً منتشر شده‌است، ادعا دارد که تراشه مذکور در گلکسی S25 حضور خواهد داشت و می‌تواند بهینه‌ترین عملکرد را در میان گوشی‌های اندرویدی ارائه کند.

در گزارش مورد اشاره، گفته شده‌است که سامسونگ قصد دارد تولید انبوه اگزینوس ۲۵۰۰ را برای استفاده در گلکسی S25 آغاز کند. این تراشه رقیب مستقیم اسنپدراگون ۸ نسل ۴ ساخت کوالکام خواهد بود که احتمالاً از فناوری ساخت مشابه بهره خواهد برد. سامسونگ در سال‌های اخیر در رقابت با کوالکام عقب افتاده است و تراشه‌های آن نمی‌توانند قدرت مشابه با پرچم‌داران اسنپدراگون را ارائه کنند؛ شده‌استن رو به‌نظر می‌رسد که کره‌ای‌ها روی ارائه راندمان بهتر و مصرف انرژی کمتر تمرکز کرده‌اند.

هسته کورتکس X5 طراحی شده توسط ARM احتمالاً گل سرسبد نسل آتی تراشه‌های موبایل خواهد بود که از فناوری ساخت ۳ نانومتری استفاده می‌کنند. طبق سایر گزارش‌های منتشر شده، احتمالاً شاهد عرضه گلکسی S25 اولترا در پیکربندی‌های دارای حافظه‌های ۲۵۶ و ۵۱۲ گیگابایت در کنار ۱ ترابایت خواهیم بود. انتظار می‌رود که پرچم‌دار بعدی سامسونگ به‌صورت پیش‌فرض به اندروید ۱۵ و رابط کاربری سامسونگ OneUI 7 مجهز باشد و قابلیت‌های مبتنی بر هوش مصنوعی گوگل را هم درون خود جای داده باشد. حافظه رم در نسخه‌های ۱۲ و ۱۶ گیگابایت در کنار پشتیبانی از شارژ سریع ۴۵ وات، شارژ بی‌سیم ۱۵ وات و شارژ معکوس ۴.۵ وات از دیگر مشخصات احتمالی خواهد بود.