سامسونگ خبر از توسعه موفقیت آمیز حافظه های S-RAM بر مبنای فناوری ۱۰ نانومتری FinFET‌ داد

نمی توان کتمان کرد که سامسونگ بدل به یکی از سودآور ترین شرکت ها در عرصه ی تولید قطعات مورد نیاز برای مونتاژ تلفن های هوشمند شده است، کمپانی مذکور اکنون این توانایی را دارد چیپست های موبایل، نمایشگرهای OLED و LCD، ماژول های حافظه ی رم و... را به تولید برساند و علاوه بر تامین نیاز خود پاسخگوی نیاز سایر برندها نیز باشد.

اما آخرین دستاورد سامسونگ در این زمینه توسعه ی موفق حافظه های S-RAM با فناوری ۱۰ نانومتری FinFET محسوب می گردد و این شرکت رسماً اعلام کرده که پیش از دو رقیب اصلی اش یعنی اینتل و TSMC توانسته راهکاری موثر برای ساخت حافظه های مذکور پیدا کند.

در ادامه با دیجیاتو همراه باشید.

ماژول های S-RAM جدید سامسونگ همانطور که اشاره شد بر مبنای تکنولوژی ۱۰ نانومتری FinFET توسعه یافته اند و لذا نرخ انتقال داده ای معادل ۱۲۸ مگابایت دارند و بدین ترتیب بسیار سریع تر و کاراتر از حافظه های D-RAM‌ به حساب می آیند.

کمپانی کره ای یادآوری می کند که ماژول های مورد بحث ۳۷.۵ درصد از نمونه های ۱۴ نانومتری خود کوچک تر هستند و بنابراین چیپست هایی که آنها را به کار می بندند نیز می توانند ابعاد کمتری نسبت به قبل داشته باشند.

گفته می شود سامسونگ احتمالاً از اوایل ۲۰۱۷ حافظه های S-RAM ده نانومتری اش را به تولید انبوه خواهد رساند و اولین بار آنها را در کنفرانس ISSCC که از ۳۱ ژانویه الی ۴ فوریه سال آتی برگزار می شود به نمایش درخواهد آورد.

می بایست خاطر نشان کنیم که ماژول های S-RAM به عنوان حافظه های کش پردازنده کاربردی هستند و سرعت بالا و مصرف کمتر انرژی شان سبب خواهد شد تا بازهم شاهد ارائه ی کارایی بیشتر در دستگاه های مختلف و خصوصاً تلفن های هوشمند باشیم.

در این بین باید منتظر و ماند دید TSMC چه واکنشی نسبت به خبر آمده در بالا نشان خواهد داد، شرکت یاد شده هنوز حافظه های S-RAM خود را بر اساس تکنولوژی ۱۴ و ۱۶ نانومتری تولید می کند. این دو رقیب یعنی سامسونگ و TSMC در سال های اخیر یکی از فشرده ترین رقابت های ممکن را تجربه کرده اند و دائماً در تلاش هستند از یکدیگر پیشی بگیرند تا بتوانند مشتریان بیشتری را به خود جذب کرده و سود زیادتری به دست آورند.