سامسونگ از سال ۲۰۲۲ تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری را با فرآیند 3GAE کلید می‌زند
سامسونگ از سال آینده میلادی حجم تولید تراشه‌های ۳ نانومتری خود را با استفاده از فرآیند تولید 3GAE افزایش می‌دهد. با وجودی که انتظار می‌رفت کره‌ای‌ها خیلی زودتر فرآیند جدید ساخت را جایگزین کنند، اما با ...
در دیجیاتو ثبت‌نام کنید
جهت بهره‌مندی و دسترسی به امکانات ویژه و بخش‌های مختلف در دیجیاتو عضو ویژه دیجیاتو شوید.
عضویت در دیجیاتوتازههای تکنولوژی
سامسونگ از سال آینده میلادی حجم تولید تراشه‌های ۳ نانومتری خود را با استفاده از فرآیند تولید 3GAE افزایش می‌دهد. با وجودی که انتظار می‌رفت کره‌ای‌ها خیلی زودتر فرآیند جدید ساخت را جایگزین کنند، اما با این راهکار با تاخیر حدود یکساله محقق می‌شود.
در بین شرکت‌های مستقل تولیدکننده تراشه، سامسونگ بعد از TSMC، دومین کارخانه بزرگ تولید چیپ در جهان را مدیریت می‌کند. اما ظاهرا کره‌ای‌ها قصد دارند پا را فراتر گذاشته و با ایجاد تغیبر در فرآیند ساخت، حجم تولید تراشه‌های ۳ نانومتری خود را برای اوایل سال ۲۰۲۲ افزایش دهند.
پیشتر در نقشه راه سامسونگ به این موضوع اشاره شده بود که فرآیند تولید موسوم به 3GAE تنها برای مصارف داخلی مورد استفاده قرار می‌گیرد، اما کره‌ای این مورد را نیز از نقشه راه خود حذف کرده‌اند. یکی از نمایندگان سامسونگ می‌گوید:
«درباره فرآیند تولید 3GAE، با برخی مشتریان مذاکره کردیم. انتظار می‌رود در سال ۲۰۲۲ تولید انبوه تراشه با فرآیند 3GAE به مرحله اجرا و بهره‌برداری برسد.»
همچنین با توجه به مستندات مربوطه به نظر می‌رسید فرآیند تولید تراشه 3GAP نیز که جایگزین 3GAE خواهد شد، از سال ۲۰۲۳ به بهره‌برداری برسد که در نقشه راه سامسونگ به این موضوع اشاره شده است.
نقشه راه مذکور در «Foundry Forum 2021» در چین رونمایی شد. سامسونگ ابتدا نقشه راه مربوط به بخش تولید چیپست را به‌روز کرد و سپس آن را در شبکه‌های اجتماعی ویبو و بایدو به اشتراک گذاشت.
سامسونگ برای تولید تراشه‌های قدیمی‌تر با معماری ترانزیستور FinFET نیز 5LPP و 4LPP را به ترتیب برای تولید ۲۰۲۱ و ۲۰۲۲ به نقشه راه خود اضافه کرده است. سامسونگ در ماه مه ۲۰۱۹، فرآیند تولید نودهای ۳ نانومتری مبتنی بر روش تولید 3GAE و 3GAP را معرفی کرد و در همان مقطع زمانی کره‌ای‌ها ادعا می‌کردند که این فرآیند تولید به افزایش عملکرد ۳۵ درصدی و کاهش ۵۰ درصدی مصرف انرژی در مقایسه با فرآیند ساخت 7LPP منجر می‌شود.
سامسونگ در سال ۲۰۱۹ و در زمان معرفی فرآیند تولید تراشه‌های ۳ نانومتری اعلام کرد که تولید تراشه با این نودها را از اواخر سال ۲۰۲۱ آغاز می‌کند و در سال ۲۰۲۲ نیز فرآیند جدیدتر را جایگزین می‌کند. اما ظاهرا محاسبات زمانی سامسونگ درست از آب در نیامد و موضوع با تاخیر یک ساله روبرو شد. اگرچه چنین تاخیری یک معضل بزرگ محسوب نمی‌شود ولی کره‌ای‌ها اکنون زمان بهره‌برداری از فرآیند جدید را اعلام کرده‌اند.
باید دید سامسونگ در این مسیر با چه چالش‌هایی روبرو خواهد بود و آیا همه چیز طبق روال پیش خواهد رفت یا کره‌ای‌ها با مشکلات دیگری روبرو خواهند شد. همچنین باید دید آیا ممکن است کره‌ای‌ها مجبور شوند اصلاحات و تغییراتی هرچند جزئی در فرآیند تولید درنظر بگیرند یا خیر.
برای گفتگو با کاربران ثبت نام کنید یا وارد حساب کاربری خود شوید.