ترانزیستورهایی با ضخامتی معادل 3 اتم، نوید دستگاه های الکترونیکی فوق باریک را می دهند

ترانزیستورهایی با ضخامتی معادل 3 اتم، نوید دستگاه های الکترونیکی فوق باریک را می دهند

ترانزیستورهایی با ضخامتی معادل 3 اتم، نوید دستگاه های الکترونیکی فوق باریک را می دهند

محققین دانشگاه کُرنل، تکنولوژی خارق العاده ای به نمایش گذاشتند که می تواند ابزارهای الکترونیکی آینده را بسیار کارآمدتر از گذشته کند. فلزات گروه واسطه (M) در جدول تناوبی، با کالکوژنیدها (X) ترکیبی تشکیل می دهند (MX2) که به اختصار TMD خطاب می شود.

TMD می تواند به عنوان قطعه ای الکترونیکی فوق العاده باریک مورد استفاده قرار بگیرد که در هر چیزی از سلول های خورشیدی گرفته تا نمایشگرهای خمیده کاربرد دارد اما تولید آن در مقیاس گسترده به قدری دشوار است که شرکت های بزرگ ترجیح می دهند فعلا از این تکنولوژی استفاده نکنند. اما به نظر می رسد ابداع جدید محققین دانشگاه کُرنل این مسئله را برطرف کرده باشد.

در ادامه با دیجیاتو همراه باشید.

ساین ژی، یکی از نویسندگان و محققین پروژه می نویسد: "پژوهش ما، TMD را وارد مقیاس مورد استفاده در تکنولوژی می کند و اجازه می دهد که در این مقیاس، دستگاه ها ساخته شوند."

ماده ساخته شده در آزمایشگاه های دانشگاه کرنل، تنها به اندازه ۳ اتم ضخامت دارد. آن ها دی اتیل سولفید را با هگزاکربونیل روی یک ورقه سیلیکونی وارد واکنش کرده و ورقه را به مدت ۲۶ ساعت در محفظه گاز هیدروژن قرار می دهند.

در حدود ۲۰۰ ورقه سیلیکونی طی این پروسه ساخته شده که تنها دو مورد از آن ها با شکست مواجه شد؛ یعنی دقت آزمایش ۹۹ درصد بوده است. با در نظر گرفتن این آمار، انتظار می رود که محققین پروژه را جدی گرفته و تا چند سال آینده شاهد دستگاه هایی باشیم که واقعا به اندازه چند ورق کاغذ ضخامت دارند.

برای درک بهتر TMD می توانید ویدیوی زیر را تماشا کنید (این ویدیو ارتباطی با پژوهش فوق ندارد و راهکارهای قدیمی را به نمایش می گذارد).

نظرات ۸

وارد شوید

برای گفتگو با کاربران، وارد حساب کاربری خود شوید.

ورود

Digiato

رمزتان را گم کرده‌اید؟ ورود با گوگل

Digiato

ورود با گوگل