جدیدترین چیپ حافظه سامسونگ ۲۰ برابر میکرو اس دی معمولی سرعت دارد

هفته‌ گذشته سامسونگ گلکسی فولد معرفی شد و کمپانی کره‌ای اعلام نمود که این دستگاه به چیست ۷ نانومتری اسنپدراگون ۸۵۵، ۱۲ گیگابایت رم و ۵۱۲ گیگابایت حافظه داخلی فوق سریع از نوع فلش استوریج ۳ (eUFS) مجهز شده است. حال کمپانی کره‌ای عنوان کرده که تولید انبوه جدیدترین چیپ حافظه سامسونگ آغاز شده و این سخت افزار، اولین چیپ حافظه ۵۱۲ گیگابایتی با تکنولوژی فلش استوریج جهان ۳ (eUFS) به شمار می‌رود.

به همین دلیل پرچمداران بعدی سامسونگ از سرعت خوانش و انتقال دیتای بسیار بالایی بهره‌مند خواهند شد که با سرعت حافظه‌های لپ‌تاپ‌های سریع قابل مقایسه خواهد بود.

سال ۲۰۱۷ میلادی سامسونگ از چیپ ۵۱۲ گیگابایتی eUFS رونمایی کرده بود که می‌توانست اطلاعات را با سرعت ۸۶۰ مگابایت بر ثانیه بخواهد و آنها را با سرعت ۲۵۵ مگابایت بر ثانیه انتقال دهد.

چیپ جدید سرعت خوانش و انتقال داده را دو برابر کرده و آنها به ترتیب به ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانبه و ۴۱۰ مگابایت بر ثانیه رسانده است. حتی چیپست‌های UFS 2.1 که سامسونگ آنها را چند ماه پیش معرفی کرده بود، توان مقابله با مدل‌های eUFS 3 ندارند و اصلا با هم قابل مقایسه نیستند.

به گفته‌ی شرکت سازنده، سرعت خوانش این چیپ حافظه سامسونگ ۲۰ برابر کارت های میکرو اس دی معمولی و  ۴ برابر هارد‌های ساتاست. از این رو کاربر می‌تواند یک فیلم کامل Full HD طی تنها سه ثانیه به حافظه‌‌ی eUFS 3 یک تلفن هوشمند انتقال دهد.

کمپانی کره‌ای سعی دارد با استفاده از جدیدترین چیپ حافظه سامسونگ در پرچمدارانش تجربه‌ی کاربری سریعی را برای کاربر به ارمغان آورد. به طوری که فرد تصور کند در حال استفاده از تلفن‌های هوشمند با رزولوشن فوق العاده بزرگ است که به آینده تعلق دارد.

جدیدترین چیپ حافظه سامسونگ طی ماه آینده، در دو مدل ۱۲۸ و ۵۱۲ گیگابایتی عرضه خواهد شد و کمپانی کره‌ای قصد دارد نسخه‌های ۱ ترابایتی و ۲۵۶ گیگاباتی آن را نیز در نیمه دوم سال ۲۰۱۹ میلادی عرضه نماید.