سامسونگ چیپست های اگزینوس ۷ مبتنی بر فناوری ۱۴ نانومتری FinFET را معرفی کرد

در روز یکشنیه کمپانی سامسونگ اعلام نمود که نسل بعدی چیپست های ۱۴ نانومتری این شرکت حال آماده برای تولید انبوه هستند. گمان می رود از این چیپ ها در طیف گسترده ای از محصولات آینده ی شرکت کره ای بهره گرفته شود و اعتقاد ها بر این است که سامسونگ با طراحی، توسعه و ساخت نسل ۱۴ نانومتری این محصولات قصد دارد تا به رقابتی مستقیم با اپل و البته کوالکام بپردازد.

در کنار این خبر ها، شرکت کره ای روز گذشته از اولین چیپست که از فناوری ۱۴ نانومتری و FinFET استفاده می کند نیز پرده برداشت. چیپست مذکور در اصل نسخه ای آپدیت شده از سری ۶۴ بیتی Exynos 7 خواهد بود. مشخصات دقیق و تخصصی تر هنوز اعلام نشده اند اما به نظر می رسد از این چیپست در گلکسی S6 بهره گرفته خواهد شد. در ادامه با دیجیاتو همراه باشید.

تکنولوژی ۱۴ نانومتری FinFET تا ۲۰ درصد کارایی بیشتر و ۳۵ درصد مصرف انرژی کمتری نسبت به چیپست های ۲۰ نانومتری خواهد داشت. فناوری FinFET این قابلیت را به سازندگان می دهد تا بتوانند ترانزیستور های بیشتری را در کنار یکدیگر چیده و از قدرت پردازشی بالاتری نیز بهره مند گردند.

از راه رسیدن چیپست ۱۴ نانومتری این وعده را می دهد که در سال جاری، سامسونگ در مقابل رقبایش و سایر سازندگان چیپست، سر خود را با اقتدار بالا خواهد گرفت و احتمال دارد نتایج بنچمارک ها هم به نفع این شرکت کره ای تغییر نمایند.

غول کره ای در حالی به سراغ ساخت چیپست های ۱۴ نانومتری با فناوری های جدیدی مانند FinFET رفته که همکار سابقش، کوالکام همچنان در حال توسعه ی چیپست های ۲۰ نانومتری است و سفارشات ساخت خود را نیز به کمپانی TSMC می سپارد. البته کوالکام نیز چیپستی ۱۶ نانومتری با فناوری FinFET در دست توسعه دارد اما بعید به نظر می رسد بتواند آن را تا پیش از اوایل پاییز ۲۰۱۵ به تولید انبوه برساند.